2011年天津大学微电子考研复试笔试真题

一.写出PN结电流-电压特性方程并简述其输出特性

二.什么是BJT的基区宽度调制效应,对BJT的输出特性曲线有什么影响?

三.简述短沟道效应和窄沟道效应

四.画出ECL电路的基本门-或/或非门电路图,并简要简述工作原理

五.MOSFET漏电流的影响因素有哪些?

六.解释

1.建立时间

2.维持时间

3.时钟偏差

4.时钟抖动

七.CMOS设计

1.ABCD 2.ABC

八.大扇入电路的优化

九.分析电路延时 类似于复试大纲要求的课本 数字集成电路 365页例10.1 看懂那道题就行

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