西安电子科技大学微电子概论考研复试真题

1、什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？
2、简述晶体管的直流工作原理。
3、简述MOS场效应管的工作特性。
4、CMOS电路的基本版图共几层，都是哪几层？再描述一下COMS工艺流程。
5、专用集成电路的设计方法有哪些？它们有什么区别？
6、影响Spice软件精度的因素有哪些？
7、半导体内部有哪几种电流？写出电流计算公式。
8、晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？
9、经过那些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。
10、双极ic和mos ic的隔离有何不同？
11、rom有那些编程结构？各有和特点？
12、画出稳压电路的结构图，解释工学原理。
13、pn结的寄生电容有几种，形成机理，对pn结的工作特性及使用的影响？15'
14、什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？15'
15、CMOS集成电路设计中，电流受哪些因素影响？15'
16、CMOS集成电路版图设计中，什么是有比例设计和无比例设计，对电学参数有哪些影响？15'
17、画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图，并说明它们的工作原理的区别？20'
18、对门电路而言，高电平噪声容限和低电平噪声容限受哪些因素影响？20'

专业课面试
1、齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别
2、什么是有比例设计与无比例设计，其影响参数
3、高低电平噪声影响的参数
4、多级放大器的耦合方式及优缺点
5、什么是线性电源
6、直流电源的原理及构成
7、PN节的两种电容的机理。
8、PN节有哪几种击穿？各自的机理及击穿曲线的特点？
9、简述CMOS的工艺流程，几层版图？
10、影响Spice软件精度的因素有哪些？
11、半导体中载流子的两种运动。
12、模拟集成运算放大器的组成和性能。
13、四探针法测电阻的原理。
14、共价键和金刚石结构晶体
15、什么是共价键(有什么特点)
16、半导体的导电原理,导电机构
17、ROM和RAM的工作原理
18、晶体管与MOS管隔离的区别
19、N沟耗尽型MOSFET工作原理？
20、集成运算放大器的基本组成？有哪些参数？
21、 CAD的含义与作用
22、现在CAD软件模拟与数字谁更好及原因
23、半导体及金属导电的原理
24、半导体及金属禁带宽度
25、cmos有那几种有源寄生效应，有什么影响？
26、晶体三极管工作的三种组态以及它们的应用场合？
27、说出几种可编程ROM的原理及优缺点

英语题
1、你的专业是什么，和你对专业的看法
2、说说你的大学
3、喜欢什么运动及他的规则
4、 如果你有钱了你怎么办
5、谈谈外国教育
6、改革开放对中国的影响
7、你为什么选西电