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2025年大连理工大学805半导体物理考研精品资料

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【初试】2025年大连理工大学805半导体物理考研精品资料说明：本套资料由高分研究生潜心整理编写，高清电子版支持打印，考研推荐资料。一、大连理工大学805半导体物理考研真题汇编及考研大纲1．大连理工大学805半导体物理2001-2002、2004-2005、2010年考研真题，暂无答案。说明：分析历年考研真题可以把握出题脉络，了解考题难度、风格，侧重点等，为考研复习指明方向。
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2013年合肥工业大学831半导体物理考研真题
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2013年合肥工业大学831半导体物理考研真题

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简答题8×5'“从能带角度说明为什么电子有效质量的绝对值小于空穴有限质量的绝对值，而电子的迁移率却大于空穴的迁移率？”“爱因斯坦关系是从平衡半导体推导出来的，是否适用于非平衡半导体？为什么？”没变的如，什么是非简并半导体？判剧的意义。半导体功函数与亲和能定义，以及对于同一半导体谁是不变量接着判断正误5×3'，没啥好说的，一眼就能看出来，平时复习认真些。填空题（5小题，几个空忘了，大概10个）考了锗的能带结构，如导带极小值方向，简约布里渊区有几个旋转椭球面问答题1×10'以
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2013年哈尔滨工业大学微电子半导体物理考研真题
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2013年哈尔滨工业大学微电子半导体物理考研真题

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哈尔滨工业大学二〇一三年硕士研究生考试试题（回忆版）考试科目：半导体物理                  报考专业：微电子与固体电子学考试科目代码：[        ]             考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号，答在试题上无效。
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